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简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

在电子工程世界为您找到如下关于“mosfet”的新闻

内置大功率mosfet 士兰微电子新一代SSR反激控制芯片问市
近期,士兰微电子推出了内置大功率MOSFET的SSR反激电源管理芯片SDH8666Q系列,该系列产品是为士兰微电子新一代SSR反激控制芯片,采用了自有专利EHSOP5贴片封装,内置高压大功率MOSFET,可广泛适用于36W适配器或48W开放环境,包括通用适配器、快充、显示器和平板电视等。系列产品包括:产品高压启动内置MOS Rds(on)(Ω)最高频率(kHz...
类别:驱动 2019-07-01 标签: 士兰微 反激控制芯片
现代IGBT/mosfet栅极驱动器提供隔离功能的最大功率限制
摘要 本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。 在高度可靠、高性能的应用中,如电动/混合动力汽车,隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着Si-MOSFET/IGBT不断改进,以及对GaN和SiC工艺技术的引进,现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提高。因此,需要高度集成、耐用的新型隔离式栅极驱动器...
类别:材料技术 2019-06-21 标签: IGBT MOSFET
高压mosfet第四种技术AccuMOS产品 成倍提升行业功率密度
,2019年6月18日正式发布的AccuMOS产品,很好地解决了上述难题。AccuMOS采用自主研发的“全新电场操纵”技术,首次将摩尔定律引入高压功率场效应管(MOSFET)设计,可将Rsp值(Specific Rdson,单位面积电阻)随设计线宽逐步缩小。本次派微电子发布的AccuMOS产品功率密度已经达到LDMOS和VDMOS业界最好水平 的2倍以上,并且随着线宽...
类别:半导体生产 2019-06-19 标签: MOSFET AccuMOS
捷捷微电:芯片年产能160万片,将扩充mosfet、IGBT等产品线
生产线、新型片式元器件和光电混合集成电路封测产线,扩充MOSFET、IGBT等产品线,为中长期增长奠定基础。江苏捷捷微电子股份有限公司创建于1995年,是一家专业从事半导体分立器件、电力电子器件研发、制造及销售的江苏省高新技术企业。据其官网介绍,目前公司拥有五条半导体功率器件产品线。...
类别:便携/移动产品 2019-06-06 标签: 捷捷微电
盘点安森美在电动汽车领域的布局
的是ON的车辆电气化产品组合。该公司的电源产品包括IGBT(绝缘栅双极晶体管),具有广泛的双极电流承载能力。这些产品包括用于牵引驱动应用的高功率IGBT器件,在650V-1200V范围内。安森美半导体还生产高压栅极驱动器(功率放大器,采用低功率IC输入并为IGBT或MOSFET产生高电流驱动输入)和高压整流器,将AC转换为单向DC。此外,安森美半导体还提供超结MOSFET...
类别:动力系统 2019-06-06 标签: 安森美 电动汽车 功率 MOSFET
技术文章—常见mosfet失效模式的分析与解决方法
,因此可以改善系统的可靠性。LLC 谐振半桥变换器因其自身具有的多种优势逐渐成为一种 主流拓扑。这种拓扑得到了广泛的应用,包括高端服务 器、平板显示器电源的应用。但是,包含有LLC谐振半 桥的ZVS桥式拓扑,需要一个带有反向快速恢复体二极 管的MOSFET,才能获得更高的可靠性。 在功率变换市场中,尤其对于通信/服务器电源应用,不 断提高功率密度和追求更高效率已经成为具...
类别:电源设计 2019-05-28 标签: MOSFET
Power Integrations发布集成900 V初级mosfet离线式开关电源IC
深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司发布一系列集成了900 V初级MOSFET的离线式开关电源IC。新发布的器件既包括适合高效率隔离反激式电源的IC,也包括适合简单型非隔离降压式变换器的IC。其应用范围包括480 VAC三相工业电源以及专供电网不稳定地区、时常遭受雷击的热带地区或者经常发生高能振荡波和浪涌的地区的高品质...
类别:驱动 2019-05-07 标签: Power Integrations
如何选择mosfet——电机控制
本文主要讨论特定终端应用需要考虑的具体注意事项,首先从终端应用中将用于驱动电机的FET着手。电机控制是30V-100V分立式MOSFET的一个庞大且快速增长的市场,特别是对于许多驱动直流电机的拓扑结构来说。在此,我们将专注于讨论如何选择正确的FET来驱动有刷、无刷和步进电机。尽管很少有硬性规定,且可能有无数种方法,但希望本文能让您基于终端应用了解从何处着手。 要做...
类别:智能工业 2019-04-30 标签: MOSFET 电机控制
ROHM开发出内置 SiC mosfet AC/DC转换器IC
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),面向大功率通用逆变器、AC伺服、工业用空调、街灯等工业设备,开发出内置1700V耐压SiC MOSFET*1)的AC/DC转换器*2)IC“BM2SCQ12xT-LBZ”。  近年来,随着节能意识的提高,在交流400V工业设备领域,相比现有的Si功率半导体,可支持更高电压、更节能、更小型的SiC功率半导体...
类别:转换器 2019-04-18 标签: ROHM AC DC转换器
围绕汽车电子,芯片厂商之间的这场争夺战会越来越热闹
的缓解做出巨大贡献。这就使得这个新型材料器件非常适合于在电源、汽车、铁路、工业设备、家用消费电子设备等各个领域。尤其是今年来随着电动车等产业的发展要求,市场对SiC的需求大增。据麦姆斯咨询分析,2018年全球有超过20家的汽车业者,在OBC中使用SiC肖特基二极管(Schottky Diodes)或SiC MOSFET;未来SiC功率半导体在OBC市场中有望以CAGR 44...
类别:汽车电子 2019-04-03 标签: ST SiC功率器件 肖特基二极管 MOSFET

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MCRPCHIP工程师写的关于MOSFET驱动资料,个人感觉立即下载
MOSFET驱动AN799MOSFET 驱动器与 MOSFET 的匹配设计作者:Jamie Dunn Microchip Technology Inc. 2. 由于 MOSFET 驱动器吸收静态电流而产生的功 耗。简介当今多种 MOSFET 技术和硅片制程并存,而且技术进 步日新月异。要根据 MOSFET 的电压 / 电流或管芯尺 寸, 对如何将 MOSFET...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: MOSFET 驱动
功率MOSFET立即下载
MOSFET的基础知识:2.功率MOSFET 的结构和工作原理:功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P 沟道和N 沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET 主要是N沟道增强型。2.1 功率MOSFET 的结构功率 MOSFET 的内部结构和电气符号如图1 所示;其导通时...
类别:电机 2013年09月20日 标签: 功率MOSFET
MOSFET的工作原理立即下载
MOSFET的工作原理MOSFET的工作原理MOSFET的原意是:MOS(Metal OxideSemiconductor金属氧化物半导体),FET(Field EffectTransistor场效应晶体管),即以金属层...
类别:电机 2013年09月29日 标签: MOSFET 的工 作原
功率场效应晶体管MOSFET详解立即下载
选择正确的MOSFET:工程师所需要知道的选择正确的MOSFET:工程师所需要知道的作者:飞兆半导体公司 Jonathan Harper 和Enrique Rodriguez随着制造技术的发展和进步,系统设计人员必须跟上技术的发展步伐,才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件,工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 选择 正确 MOSFET 工程 师所 需要 知道
功率MOSFET的基本知识-免费立即下载
功率MOSFET的基本知识功率MOSFET的基本知识自 1976 年开发出功率 MOSFET 以来,由于半导体工艺技术的发展,它的性能不断提高:如高压功率 MOSFET 其工 作电压可达 1000V;低导通电阻 MOSFET 其阻值仅 lOm;工作频率范围从直流到达数兆赫;保护措施越来越完善;并开 发出各种贴片式功率 MOSFET(如 Siliconix 最近...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 功率 MOSFET 的基 本知
功率场效应晶体管MOSFET立即下载
功率场效 应晶体管MOSFET 功率场效应晶体管MOSFET 摘要:文中阐述了MOSFET的结构、工作原理、静态、动态特性,并对动态特性的改进进行了论述,简介了MOSFET的驱动电路及其发展动态。 关键词:MOSFET 结构 特性 驱动电路 发展 Abstract:This paper elaborate MOSFET frame、work elements、static state...
类别:模拟及混合电路 2013年06月18日 标签: MOSFET
开关电源设计(第二版)立即下载
能同时满足高、低b值的晶体管工作要求的设计方案8.2.6驱动效率8.3贝克(baker)钳位8.3.1baker钳位的工作原理8.3.2使用变压器耦合的baker钳位电路8.3.3变压器型baker钳位[5]8.3.4达林顿管(darlington)内部的baker钳位电路8.3.5比例基极驱动[2~4]8.3.6其他类型的基极驱动电路参考文献第9章大功率场效应管(mosfet)及其驱动电路9.1...
类别:开关电源 2013年06月18日 标签: 开关电源设计
Switching Power Supply Design Second Edition立即下载
管(Darlington)内部的Baker钳位电路 8.3.5 比例基极驱动[2~4] 8.3.6 其他类型的基极驱动电路 参考文献 第9章 大功率场效应管(MOSFET)及其驱动电路 9.1 概述 9.2 MOSFET管的基本工作原理 9.2.1 MOSFET管的输出特性(Id-Vds) 9.2.2 MOSFET管的输入阻抗和栅极电流 9.2.3 MOSFET管栅极驱动...
类别:开关电源 2013年07月15日 标签: 开关电源
MOSFET开关过程理解立即下载
MOSFET开关过程理解 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程。开关过程中,功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程。在跨越恒流区时,功率MOSFET漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列,线性增加。米勒平台区对应着最大的负载...
类别:电机 2013年06月08日 标签: MOSFET开关过程理解
N3856V动作原理说明立即下载
N3856V动作原理说明:DISCONTINUE MODE 是利用流經MOSFET 兩端的電流與MOSFET 本身之RDS(ON)形成電壓降(VSD)和內部參考電壓20mV 比較來控制MOSFET 的導通與關閉 , N3856V 內部有一個電流偵測電路(current decter), 其偵測端直接接於MOSFET 之源極(S)與洩極(D) ,因為此IC 之參考接地為MOSFET 之源極(S...
类别:IC设计及制造 2013年09月22日 标签: N3856V动作原理说明

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